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DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

compliant

DMN30H4D0LFDE-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.11937 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 300 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 550mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.7V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 187.3 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 630mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース 6-PowerUDFN
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