ichome.comへようこそ!

logo

DMN30H4D1S-7

DMN30H4D1S-7

DMN30H4D1S-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23

非準拠

DMN30H4D1S-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.11035 $0.11035
500 $0.1092465 $54.62325
1000 $0.108143 $108.143
1500 $0.1070395 $160.55925
2000 $0.105936 $211.872
2500 $0.1048325 $262.08125
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 300 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 430mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 174 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 360mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FQB7N65CTM
FQB7N65CTM
$0 $/ピース
BSF134N10NJ3GXUMA1
AOT360A70L
RJK1028DSP-00#J5
IPI50R399CPXKSA2
BSZ086P03NS3EGATMA1
IPP60R199CPXKSA1
RM40N200TI
RM40N200TI
$0 $/ピース
IPB100N08S2L07ATMA1

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。