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DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

SOT-23

非準拠

DMN4800LSS-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.18098 -
5,000 $0.17053 -
12,500 $0.16008 -
25,000 $0.15276 -
62,500 $0.15200 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 16mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.6V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.47 nC @ 5 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 798 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.46W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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