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DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

非準拠

DMN61D8L-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.15617 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 470mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 3V, 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.74 nC @ 5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 12.9 pF @ 12 V
FET機能 -
消費電力(最大) 390mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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