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DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

compliant

DMN61D9UDW-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.08624 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 350mA
rds オン (最大) @ id、vgs 2Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.4nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 28.5pF @ 30V
パワー - 最大 320mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-363
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