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DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323

非準拠

DMN63D1LW-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.04347 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 380mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.3 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 30 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 310mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-323
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
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