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DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

非準拠

DMN63D8LDW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.04413 $0.04413
500 $0.0436887 $21.84435
1000 $0.0432474 $43.2474
1500 $0.0428061 $64.20915
2000 $0.0423648 $84.7296
2500 $0.0419235 $104.80875
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 220mA
rds オン (最大) @ id、vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.87nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 22pF @ 25V
パワー - 最大 300mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-363
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