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DMN65D8LV-13

DMN65D8LV-13

DMN65D8LV-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R

compliant

DMN65D8LV-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.05456 $0.05456
500 $0.0540144 $27.0072
1000 $0.0534688 $53.4688
1500 $0.0529232 $79.3848
2000 $0.0523776 $104.7552
2500 $0.051832 $129.58
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 310mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.87 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 22 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 370mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

SI7720DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
AOTL66401
IPB70N10S3L12ATMA1
FDP047N08-F102
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$0 $/ピース
STWA40N90K5
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$0 $/ピース
IXTT100N25P
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$0 $/ピース
AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
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$0 $/ピース
SIJ462DP-T1-GE3
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$0 $/ピース

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