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DMNH10H021SPSW-13

DMNH10H021SPSW-13

DMNH10H021SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

compliant

DMNH10H021SPSW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.75075 $0.75075
500 $0.7432425 $371.62125
1000 $0.735735 $735.735
1500 $0.7282275 $1092.34125
2000 $0.72072 $1441.44
2500 $0.7132125 $1783.03125
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 58A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3789 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8 (Type UX)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

FQPF6N50
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DMT6012LFV-7
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