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DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 55A TO252

compliant

DMNH10H028SK3-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.69600 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 55A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2245 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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LND150N3-G
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IXTA100N15X4
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SPP03N60S5
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