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DMP1012UCB9-7

DMP1012UCB9-7

DMP1012UCB9-7

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9

SOT-23

非準拠

DMP1012UCB9-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.35541 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 8 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大) -6V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1060 pF @ 4 V
FET機能 -
消費電力(最大) 890mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ U-WLB1515-9
パッケージ/ケース 9-UFBGA, WLBGA
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