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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 810mA (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 4.5V, 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 900mOhm @ 420mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.6V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 0.36 nC @ 4.5 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 19 pF @ 15 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 530mW (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | X1-DFN1006-3 |
パッケージ/ケース | 3-UFDFN |
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