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DMT10H009LFG-7

DMT10H009LFG-7

DMT10H009LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI

compliant

DMT10H009LFG-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.54778 $0.54778
500 $0.5423022 $271.1511
1000 $0.5368244 $536.8244
1500 $0.5313466 $797.0199
2000 $0.5258688 $1051.7376
2500 $0.520391 $1300.9775
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2361 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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NTBL095N65S3H
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BUK9Y2R8-40HX
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