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DMT10H009LK3-13

DMT10H009LK3-13

DMT10H009LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

compliant

DMT10H009LK3-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.53777 $0.53777
500 $0.5323923 $266.19615
1000 $0.5270146 $527.0146
1500 $0.5216369 $782.45535
2000 $0.5162592 $1032.5184
2500 $0.5108815 $1277.20375
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 90A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2309 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.7W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FCPF11N60F
FCPF11N60F
$0 $/ピース
IRF530STRRPBF
IRF530STRRPBF
$0 $/ピース
AOT254L
PJW7N04-AU_R2_000A1
NIF9N05CLT3
NIF9N05CLT3
$0 $/ピース
FCH35N60
FCH35N60
$0 $/ピース
IMBG120R045M1HXTMA1
AUIRF8739L2TR
AO4459

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