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DMT10H009SCG-13

DMT10H009SCG-13

DMT10H009SCG-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

compliant

DMT10H009SCG-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.42335 $0.42335
500 $0.4191165 $209.55825
1000 $0.414883 $414.883
1500 $0.4106495 $615.97425
2000 $0.406416 $812.832
2500 $0.4021825 $1005.45625
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Ta), 48A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2085 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ V-DFN3333-8 (Type B)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

03N06L
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$0 $/ピース
BUK7J1R0-40HX
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NTMFS4C805NAT1G
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STFU18N60M2
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