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DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

compliant

DMT10H015LCG-13 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.46980 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.4A (Ta), 34A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1871 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 155°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ V-DFN3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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