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DMT10H025LSS-13

DMT10H025LSS-13

DMT10H025LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R

compliant

DMT10H025LSS-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.28263 $0.28263
500 $0.2798037 $139.90185
1000 $0.2769774 $276.9774
1500 $0.2741511 $411.22665
2000 $0.2713248 $542.6496
2500 $0.2684985 $671.24625
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1639 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

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FDMS4D0N12C
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APT6038SLLG
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