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DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

compliant

DMT10H072LFV-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.7A (Ta), 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 228 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8 (Type UX)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

APT1201R5BVRG
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IPB60R099C6ATMA1
STP150NF04
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$0 $/ピース
IPN70R1K4P7SATMA1
ZXMP10A17KTC
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AON6224
IXFH100N25P
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$0 $/ピース
NTA4151PT1G
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FQL50N40
FQL50N40
$0 $/ピース
IPA60R400CEXKSA1

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