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DMT10H9M9SH3

DMT10H9M9SH3

DMT10H9M9SH3

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB

compliant

DMT10H9M9SH3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.95080 $0.9508
500 $0.941292 $470.646
1000 $0.931784 $931.784
1500 $0.922276 $1383.414
2000 $0.912768 $1825.536
2500 $0.90326 $2258.15
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 84A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2085 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 114W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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関連部品番号

IRL8114PBF
IRL8114PBF
$0 $/ピース
DMN10H120SFG-13
2SK1399-T2B-A
2SK544F-AC
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$0 $/ピース
APTM50UM13SAG
APTM50UM13SAG
$0 $/ピース
2SK1590(0)-T1B-AT
RJK0211DPA-00#J5A
NP32N055SLE-E1-AZ
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$0 $/ピース
FDMS86150A
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$0 $/ピース
2SJ317NYTL-E

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