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DMT12H065LFDF-7

DMT12H065LFDF-7

DMT12H065LFDF-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN

compliant

DMT12H065LFDF-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.39652 $0.39652
500 $0.3925548 $196.2774
1000 $0.3885896 $388.5896
1500 $0.3846244 $576.9366
2000 $0.3806592 $761.3184
2500 $0.376694 $941.735
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 115 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 3V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 252 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type F)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
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関連部品番号

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