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DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

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Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

compliant

DMT3009LDT-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.44335 -
6,000 $0.42373 -
15,000 $0.40972 -
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A
rds オン (最大) @ id、vgs 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20nC @ 15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1500pF @ 15V
パワー - 最大 1.2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ V-DFN3030-8 (Type K)
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関連部品番号

SP8M4HZGTB
SP8M4HZGTB
$0 $/ピース
FDC6561AN-NB5S007A
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$0 $/ピース
RJK03D3DPA-00#J53
MSCSM120DUM042AG
PJT7802_S1_00001
RJK0222DNS-00#J5
2SK3618-TL-E
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$0 $/ピース
NTUD3129PT5G
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$0 $/ピース
SQJB60EP-T2_GE3
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$0 $/ピース
FC4B22270L1

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