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DMT3009UFVW-13

DMT3009UFVW-13

DMT3009UFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI

compliant

DMT3009UFVW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.18908 $0.18908
500 $0.1871892 $93.5946
1000 $0.1852984 $185.2984
1500 $0.1834076 $275.1114
2000 $0.1815168 $363.0336
2500 $0.179626 $449.065
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.6A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 894 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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