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DMT32M5LPSW-13

DMT32M5LPSW-13

DMT32M5LPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

compliant

DMT32M5LPSW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.50882 $0.50882
500 $0.5037318 $251.8659
1000 $0.4986436 $498.6436
1500 $0.4935554 $740.3331
2000 $0.4884672 $976.9344
2500 $0.483379 $1208.4475
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4389 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.2W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8 (Type UX)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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BUK9GTHP-55PJTR,51
IRF730PBF
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