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DMT6007LFGQ-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333

compliant

DMT6007LFGQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.51034 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 41.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2090 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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