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DMT6012LPSW-13

DMT6012LPSW-13

DMT6012LPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

非準拠

DMT6012LPSW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.23955 $0.23955
500 $0.2371545 $118.57725
1000 $0.234759 $234.759
1500 $0.2323635 $348.54525
2000 $0.229968 $459.936
2500 $0.2275725 $568.93125
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1522 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8 (Type UX)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

STW75N60M6
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RQ7E110AJTCR
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NTD78N03R-035
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$0 $/ピース
DMG302PU-7
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NVMFS5C430NLAFT3G
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STB33N65M2
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IRFR9010TRPBF
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