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DMT64M1LPSW-13

DMT64M1LPSW-13

DMT64M1LPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

非準拠

DMT64M1LPSW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44706 $0.44706
500 $0.4425894 $221.2947
1000 $0.4381188 $438.1188
1500 $0.4336482 $650.4723
2000 $0.4291776 $858.3552
2500 $0.424707 $1061.7675
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 65 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21.8A (Ta), 81.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2626 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.14W (Ta), 44W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8 (Type UX)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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IXFK120N30P3
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CSD13201W10
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$0 $/ピース
FDS6680AS
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$0 $/ピース
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DMN3066LQ-7
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$0 $/ピース
FDMS7694
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$0 $/ピース
STP57N65M5
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$0 $/ピース
IPI65R310CFD
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$0 $/ピース
STD15P6F6AG
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