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DMTH10H015SK3Q-13

DMTH10H015SK3Q-13

DMTH10H015SK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

compliant

DMTH10H015SK3Q-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.52067 $0.52067
500 $0.5154633 $257.73165
1000 $0.5102566 $510.2566
1500 $0.5050499 $757.57485
2000 $0.4998432 $999.6864
2500 $0.4946365 $1236.59125
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 59A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2343 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IRFP260NPBF
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IRFI614GPBF
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NVR5124PLT1G
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GKI03026
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SIS454DN-T1-GE3
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