ichome.comへようこそ!

logo

DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

compliant

DMTH10H1M7STLWQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.78000 $5.78
500 $5.7222 $2861.1
1000 $5.6644 $5664.4
1500 $5.6066 $8409.9
2000 $5.5488 $11097.6
2500 $5.491 $13727.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 250A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9871 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6W (Ta), 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ POWERDI1012-8
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IRF6797MTRPBF
RQ6E035ATTCR
RQ6E035ATTCR
$0 $/ピース
SQD15N06-42L_T4GE3
FQAF16N50
FQAF16N50
$0 $/ピース
IPT029N08N5ATMA1
R6004CNDTL
R6004CNDTL
$0 $/ピース
SI1403BDL-T1-E3
SI1403BDL-T1-E3
$0 $/ピース
NTMFS4C10NBT1G
NTMFS4C10NBT1G
$0 $/ピース
SI7309DN-T1-GE3
SI7309DN-T1-GE3
$0 $/ピース
STW68N60M6-4
STW68N60M6-4
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。