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DMTH10H2M5STLWQ-13

DMTH10H2M5STLWQ-13

DMTH10H2M5STLWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10

非準拠

DMTH10H2M5STLWQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.90000 $4.9
500 $4.851 $2425.5
1000 $4.802 $4802
1500 $4.753 $7129.5
2000 $4.704 $9408
2500 $4.655 $11637.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 215A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 124.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8450 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-363
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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関連部品番号

SSM6K810R,LXHF
BUK9614-55A,118
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$0 $/ピース
IXTA34N65X2-TRL
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$0 $/ピース
FDS8449-F085
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FDS6162N7
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$0 $/ピース
RJK1052DPB-00#J5
AOV20S60
PXP1500-100QSJ
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STW12N170K5
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FDD86367-F085
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