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DMTH31M7LPSQ-13

DMTH31M7LPSQ-13

DMTH31M7LPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

compliant

DMTH31M7LPSQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.64018 $0.64018
500 $0.6337782 $316.8891
1000 $0.6273764 $627.3764
1500 $0.6209746 $931.4619
2000 $0.6145728 $1229.1456
2500 $0.608171 $1520.4275
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5741 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta), 113W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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