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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 110mA (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 32Ohm @ 125mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 3.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | - |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 100 pF @ 25 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 700mW (Ta) |
動作温度 | - |
取り付けタイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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