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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Active |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 2A |
rds オン (最大) @ id、vgs | 230mOhm @ 1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 9.2nC @ 10V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 497pF @ 50V |
パワー - 最大 | 1.8W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO |
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