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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1.39A, 1.28A |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 250mOhm @ 1.8A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 3V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 3.2nC @ 10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 166pF @ 40V |
| パワー - 最大 | 870mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO |
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