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ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

非準拠

ZXMN10A08GTA 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.32842 -
2,000 $0.29763 -
5,000 $0.27710 -
10,000 $0.26684 -
25,000 $0.26124 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 405 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-3
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

NTMFS4898NFT3G
NTMFS4898NFT3G
$0 $/ピース
IPDD60R045CFD7XTMA1
IRLR8726TRLPBF
PJQ2410_R1_00001
NTE2372
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$0 $/ピース
IPB60R120C7ATMA1
NTMFS4744NT3G
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$0 $/ピース
IPS80R1K2P7AKMA1
IPW60R099C7XKSA1
IXTH4N150
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$0 $/ピース

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