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ZXMN10B08E6QTA

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Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

非準拠

ZXMN10B08E6QTA 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.39492 $0.39492
500 $0.3909708 $195.4854
1000 $0.3870216 $387.0216
1500 $0.3830724 $574.6086
2000 $0.3791232 $758.2464
2500 $0.375174 $937.935
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.3V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 497 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-26
パッケージ/ケース SOT-23-6
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