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ZXMN6A08E6QTA

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26

非準拠

ZXMN6A08E6QTA 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.41285 -
6,000 $0.38755 -
15,000 $0.37490 -
30,000 $0.36800 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 80mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 459 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-26
パッケージ/ケース SOT-23-6
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