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ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

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Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

非準拠

ZXMN6A11DN8TC 価格と注文

単価 外貨価格
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500 $0 $0
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2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.7nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 330pF @ 40V
パワー - 最大 1.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
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