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ZXMN7A11GQTA

ZXMN7A11GQTA

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Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&

compliant

ZXMN7A11GQTA 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.50572 $0.50572
500 $0.5006628 $250.3314
1000 $0.4956056 $495.6056
1500 $0.4905484 $735.8226
2000 $0.4854912 $970.9824
2500 $0.480434 $1201.085
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 70 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 130mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 298 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

NVD5117PLT4G-VF01
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$0 $/ピース
HUF75939P3
HUF75939P3
$0 $/ピース
FQB7N30TM
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$0 $/ピース
SIR5710DP-T1-RE3
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$0 $/ピース
CSD17585F5
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$0 $/ピース
2SJ646-TL-E
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$0 $/ピース
IXTN400N15X4
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$0 $/ピース
SIR422DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
IRFP150PBF
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$0 $/ピース
IPB015N04NGATMA1

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