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EPC2021

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EPC

GANFET N-CH 80V 90A DIE

EPC2021 データシート

compliant

EPC2021 価格と注文

単価 外貨価格
500 $4.68100 $2340.5
1,000 $4.22800 -
12179 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 90A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5mOhm @ 29A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 14mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 5 V
vgs (最大) +6V, -4V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1650 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
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関連部品番号

STF8N80K5
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IXTP8N65X2M
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RM35P30LDV
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