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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 200 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 5V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.5V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs (最大) | +6V, -4V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 573 pF @ 100 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
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