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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 9.5A, 38A |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| パワー - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die |
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