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EPC2101ENGRT

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EPC

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

compliant

EPC2101ENGRT 価格と注文

単価 外貨価格
500 $4.77400 $2387
1,000 $4.31200 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.5A, 38A
rds オン (最大) @ id、vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 2mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.7nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 300pF @ 30V
パワー - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤーデバイスパッケージ Die
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関連部品番号

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IRF5850TR
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SI1563EDH-T1-E3
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SI9936BDY-T1-GE3
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RF1K49092
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PHN210,118
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