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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1.7A, 500mA |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| パワー - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 9-VFBGA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) |
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