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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| ダイオード型 | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) | 650 V |
| 電流 - 平均整流 (io) | 9.4A (DC) |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if | 1.34 V @ 10 A |
| スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 0 ns |
| 電流 - 逆方向漏れ @ vr | 5 µA @ 650 V |
| 静電容量 @ vr、f | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-257-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-257 |
| 動作温度 - 接合部 | -55°C ~ 250°C |
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