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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1700 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 21A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 15V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 208mOhm @ 12A, 15V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.7V @ 5mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 51 nC @ 15 V |
vgs (最大) | ±15V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1272 pF @ 1000 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 175W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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