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G3R160MT17D

G3R160MT17D

G3R160MT17D

SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3

非準拠

G3R160MT17D 価格と注文

単価 外貨価格
1 $12.97000 $12.97
500 $12.8403 $6420.15
1000 $12.7106 $12710.6
1500 $12.5809 $18871.35
2000 $12.4512 $24902.4
2500 $12.3215 $30803.75
694 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1700 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 15V
rds オン (最大) @ id、vgs 208mOhm @ 12A, 15V
vgs(th) (最大) @ id 2.7V @ 5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (最大) ±15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1272 pF @ 1000 V
FET機能 -
消費電力(最大) 175W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

PJL9436A1_R2_00001
BUK768R1-100E,118
PSMN1R5-30YLC,115
SQ4153EY-T1_BE3
SQ4153EY-T1_BE3
$0 $/ピース
CPH3314-TL-H
CPH3314-TL-H
$0 $/ピース
TK155A65Z,S4X
IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3
$0 $/ピース
2SK4093TZ-E
IRLML5103TRPBF
PJP4NA90_T0_00001

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