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GB01SLT12-252

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DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

非準拠

GB01SLT12-252 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.22691 -
5,000 $1.18147 -
14648 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 1A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.8 V @ 1 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 2 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 69pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C
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