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G06N10

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N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

G06N10 データシート

compliant

G06N10 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
2490 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 240mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IRF840
IRF840
$0 $/ピース
SI7143DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
IXFT18N100Q3
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$0 $/ピース
APT39F60J
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$0 $/ピース
FQPF5N80
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$0 $/ピース
NVMFS5C426NWFAFT3G
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$0 $/ピース
FQU5N60CTU
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$0 $/ピース
SQM90142E_GE3
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$0 $/ピース
STD18NF25
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SIHP38N60E-GE3
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$0 $/ピース

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