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G08P06D3

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P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.

G08P06D3 データシート

compliant

G08P06D3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
5000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 52mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2972 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (3.15x3.05)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

DMT8030LFDF-13
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$0 $/ピース
ZXMN3A14FQTA
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$0 $/ピース
FDU5N60NZTU
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$0 $/ピース
MCB160N04Y-TP
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$0 $/ピース
DMN24H3D6S-13
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$0 $/ピース
AUIRFS4115-7P
RRQ045P03HZGTR
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$0 $/ピース
DMN2053UWQ-13
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$0 $/ピース
IPL65R160CFD7AUMA1
PMCM6501UNE023
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$0 $/ピース

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