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G1003B

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N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1

G1003B データシート

compliant

G1003B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
2378 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 130mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 760 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3L
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

FDP039N08B
FDP039N08B
$0 $/ピース
MCG35P04-TP
MCG35P04-TP
$0 $/ピース
IRFPS37N50APBF
MCAC90N04-TP
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$0 $/ピース
SIHA6N80AE-GE3
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$0 $/ピース
IGLD60R190D1SAUMA1
DMP3017SFV-13
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$0 $/ピース
NTMT185N60S5H
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$0 $/ピース
IPB65R050CFD7AATMA1
SIHFR120-GE3
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$0 $/ピース

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