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G10N03S

G10N03S

G10N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M

G10N03S データシート

compliant

G10N03S 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
3995 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 839 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

G100N03D5
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NDPL100N10BG
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NTND31200PZTAG
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DMP3007SPS-13
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